0.35W N Channel 0.22A BSS138 Field Transistor Mosfets
Brand Name:Huixin
Certification:ISO9001, ISO4001, IATF16949, UL
Model Number:BSS138
Minimum Order Quantity:3000pcs
Delivery Time:4-5Weeks
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Dongguan Guangdong China
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Tianan Cyber Park, No.1 Huangjin Road, Nancheng District, Dongguan City, Guangdong Province , China
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Product Details
Company Profile
Product Details
SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS
BSS138 N-Channel 50-V(D-S) MOSFET
FEATURES
1.High density cell design for extremely low RDS(on)
2.Rugged and Relaible
2.Rugged and Relaible
APPLICATIONS
1.Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS
2.Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,Display, Memories, Transistors, etc.
3.Battery Operated Systems
4.Solid-State Relays
2.Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,Display, Memories, Transistors, etc.
3.Battery Operated Systems
4.Solid-State Relays
Maximum ratings (Ta=25℃ unless otherwise noted)
| Parameter | Symbol | Value | Unit | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Drain-Source Voltage | VDS | 50 | V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Continuous Gate-Source Voltage | VGSS | ±20 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Continuous Drain Current | ID | 0.22 | A | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Power Dissipation | PD | 0.35 | W | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Thermal Resistance from Junction to Ambient | RθJA | 357 | ℃/W | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Operating Temperature | Tj | 150 | ℃ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Storage Temperature | Tstg | -55 ~+150 | |||||||||||||||||||||||||||||||
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 ℃ unless otherwise specified )
| Parameter | Symbol | Test Condition | Min | Typ | Max | Units | ||||||||||||||||||||||||||||
| Off characteristics | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Drain-source breakdown voltage | V(BR)DSS | VGS = 0V, ID =250µA | 50 | V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Gate-body leakage | IGSS | VDS =0V, VGS =±20V | ±100 | nA | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Zero gate voltage drain current | IDSS | VDS =50V, VGS =0V | 0.5 | µA | ||||||||||||||||||||||||||||||
| VDS =30V, VGS =0V | 100 | nA | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| On characteristics | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gate-threshold voltage (note 1) | VGS(th) | VDS =VGS, ID =1mA | 0.80 | 1.50 | V | |||||||||||||||||||||||||||||
| Static drain-source on-resistance (note 1) | RDS(on) | VGS =10V, ID =0.22A | 3.50 | Ω | ||||||||||||||||||||||||||||||
| VGS =4.5V, ID =0.22A | 6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Forward transconductance (note 1) | gFS | VDS =10V, ID =0.22A | 0.12 | S | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Dynamic characteristics (note 2) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Input capacitance | Ciss | VDS =25V,VGS =0V, f=1MHz | 27 | pF | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Output capacitance | Coss | 13 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Reverse transfer capacitance | Crss | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Switching characteristics | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Turn-on delay time (note 1,2) | td(on) | VDD=30V, VDS=10V, ID =0.29A,RGEN=6Ω | 5 | ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Rise time (note 1,2) | tr | 18 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Turn-off delay time (note 1,2) | td(off) | 36 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Fall time (note 1,2) | tf | 14 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Drain-source body diode characteristics | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Body diode forward voltage (note 1) | VSD | IS=0.44A, VGS = 0V | 1.4 | V | ||||||||||||||||||||||||||||||
Notes:
1. Pulse Test ; Pulse Width ≤300µs, Duty Cycle ≤2%.
2. These parameters have no way to verify.
1. Pulse Test ; Pulse Width ≤300µs, Duty Cycle ≤2%.
2. These parameters have no way to verify.
0.35W N Channel 0.22A BSS138 Field Transistor Mosfets
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